КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTPN1600ANH,L1Q(M

TPN1600ANH,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 36А; Idm: 80А; 42Вт; TSON8, Toshiba

Арт:
TPN1600ANH,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 36А; Idm: 80А; 42Вт; TSON8, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TPN1600ANH,L1Q(M
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 36А; Idm: 80А; 42Вт; TSON8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 36А; Idm: 80А; 42Вт; TSON8 Технические параметры
    • Case: TSON8
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 36A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 16mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 42W
    • Pulsed drain current: 80A
    • Type of transistor: N-MOSFET