КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSPB11N60C3ATMA1

SPB11N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт, Infineon

Арт:
SPB11N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SPB11N60C3ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт Технические параметры
    • Case: PG-TO263
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 7A
    • Drain-source voltage: 650V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 380mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 125W
    • Pulsed drain current: 33A
    • Technology: CoolMOS™
    • Type of transistor: N-MOSFET