КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 191А; Idm: 1,08кА; 375Вт; D2PAK, Infineon

Арт: 303-41-365
IRFS3006TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 191А; Idm: 1,08кА; 375Вт; D2PAK, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 303-41-365
  • Наименование: IRFS3006TRLPBF
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 191А; Idm: 1,08кА; 375Вт; D2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 191А; Idm: 1,08кА; 375Вт; D2PAK Технические параметры
    • Case: D2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 191A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 2.5mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 375W
    • Pulsed drain current: 1.08kA
    • Technology: HEXFET®
    • Type of transistor: N-MOSFET