КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTK6R7P06PL,RQ(S2

TK6R7P06PL,RQ(S2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 74А; Idm: 190А; 66Вт; DPAK, Toshiba

Арт:
TK6R7P06PL,RQ(S2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 74А; Idm: 190А; 66Вт; DPAK, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TK6R7P06PL,RQ(S2
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 74А; Idm: 190А; 66Вт; DPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 74А; Idm: 190А; 66Вт; DPAK Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 74A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Gate charge: 26нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 5mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 66W
    • Pulsed drain current: 190A
    • Type of transistor: N-MOSFET