КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTK6P65W,RQ(S

TK6P65W,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5,8А; Idm: 23,2А; 60Вт; DPAK, Toshiba

Арт:
TK6P65W,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5,8А; Idm: 23,2А; 60Вт; DPAK, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TK6P65W,RQ(S
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5,8А; Idm: 23,2А; 60Вт; DPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5,8А; Idm: 23,2А; 60Вт; DPAK Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 5.8A
    • Drain-source voltage: 650V
    • Gate charge: 11нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 0.89Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 60W
    • Pulsed drain current: 23.2A
    • Type of transistor: N-MOSFET