КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTK6P60W,RVQ(S

TK6P60W,RVQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 24,8А; 60Вт; DPAK, Toshiba

Арт:
TK6P60W,RVQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 24,8А; 60Вт; DPAK, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TK6P60W,RVQ(S
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 24,8А; 60Вт; DPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 24,8А; 60Вт; DPAK Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 6.2A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 12нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 0.68Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 60W
    • Pulsed drain current: 24.8A
    • Type of transistor: N-MOSFET