КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTK65G10N1,RQ(S

TK65G10N1,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 283А; 156Вт; D2PAK, Toshiba

Арт:
TK65G10N1,RQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 283А; 156Вт; D2PAK, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TK65G10N1,RQ(S
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 283А; 156Вт; D2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 283А; 156Вт; D2PAK Технические параметры
    • Case: D2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 136A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 81нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 3.8mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 156W
    • Pulsed drain current: 283A
    • Type of transistor: N-MOSFET