КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиRFM04U6P(TE12L,F)

RFM04U6P(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт, Toshiba

Арт:
RFM04U6P(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: RFM04U6P(TE12L,F)
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт Технические параметры
    • Case: PW-Mini
    • Channel kind: depleted
    • Drain current: 2A
    • Drain-source voltage: 16V
    • Efficiency: 70%
    • Electrical mounting: SMT
    • Frequency: 470MHz
    • Gain: 13.3dB
    • Gate-source voltage: ±3V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Toshiba
    • Output power: 4.3W
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 7W
    • Transistor kind: RF
    • Type of transistor: N-MOSFET