КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPSMN1R2-30YLDX

PSMN1R2-30YLDX, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт; LFPAK56,SOT1023, NEXPERIA

Арт:
PSMN1R2-30YLDX, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт; LFPAK56,SOT1023, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PSMN1R2-30YLDX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт; LFPAK56,SOT1023
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт; LFPAK56,SOT1023 Технические параметры
    • Case: SOT1023
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 209A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Features of semiconductor devices: logic level
    • Gate charge: 68нКл
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 2.05mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 194W
    • Pulsed drain current: 1181A
    • Type of transistor: N-MOSFET