КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPSMN0R9-30YLDX

PSMN0R9-30YLDX, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт, NEXPERIA

Арт:
PSMN0R9-30YLDX, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PSMN0R9-30YLDX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт Технические параметры
    • Case: SOT1023
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 284A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Features of semiconductor devices: logic level
    • Gate charge: 109нКл
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.44mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 291W
    • Pulsed drain current: 1.8kA
    • Type of transistor: N-MOSFET