КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPSMN038-100YLX

PSMN038-100YLX, Транзистор: N-MOSFET; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт; SOT669, NEXPERIA

Арт:
PSMN038-100YLX, Транзистор: N-MOSFET; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт; SOT669, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PSMN038-100YLX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт; SOT669
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт; SOT669 Технические параметры
    • Case: SOT669
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 21.3A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Features of semiconductor devices: logic level
    • Gate charge: 39.2нКл
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 103.5mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 94.9W
    • Pulsed drain current: 120A
    • Type of transistor: N-MOSFET