КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPSMN013-100YSEX

PSMN013-100YSEX, Транзистор: N-MOSFET; 100В; 58А; Idm: 330А; 238Вт; SOT669, NEXPERIA

Арт:
PSMN013-100YSEX, Транзистор: N-MOSFET; 100В; 58А; Idm: 330А; 238Вт; SOT669, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PSMN013-100YSEX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 100В; 58А; Idm: 330А; 238Вт; SOT669
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; 100В; 58А; Idm: 330А; 238Вт; SOT669 Технические параметры
    • Case: SOT669
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 58A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 75нКл
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 36mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 238W
    • Pulsed drain current: 330A
    • Type of transistor: N-MOSFET