КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPMPB215ENEA/FX

PMPB215ENEA/FX, Транзистор: N-MOSFET; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт, NEXPERIA

Арт:
PMPB215ENEA/FX, Транзистор: N-MOSFET; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMPB215ENEA/FX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт Технические параметры
    • Case: SOT1220
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 1.2A
    • Drain-source voltage: 80V
    • Gate charge: 7.2нКл
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 445mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 1.6W
    • Pulsed drain current: 7.6A
    • Type of transistor: N-MOSFET