КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиNTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563-6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563-6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTZD5110NT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563-6
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563-6 Технические параметры
    • Case: SOT563-6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 0.225A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.6Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.28W
    • Type of transistor: N-MOSFET