КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиNTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTJS3157NT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SOT363
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SOT363 Технические параметры
    • Case: SOT363
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 2.3A
    • Drain-source voltage: 20V
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 60mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 1W
    • Type of transistor: N-MOSFET