КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиNGTB40N120L3WG

NGTB40N120L3WG, Транзистор: IGBT; 1200В; 40А; 227Вт; TO247, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NGTB40N120L3WG, Транзистор: IGBT; 1200В; 40А; 227Вт; TO247, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NGTB40N120L3WG
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 1200В; 40А; 227Вт; TO247
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 1200В; 40А; 227Вт; TO247 Технические параметры
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Collector current: 40A
    • Collector-emitter voltage: 1200V
    • Gate charge: 220nC
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Pulsed collector current: 160A
    • Mounting: THT
    • Case: TO247
    • Type of transistor: IGBT
    • Power dissipation: 227W