КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTK60S10N1L,LQ(O

TK60S10N1L,LQ(O, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 180А; 180Вт; DPAK, Toshiba

Арт:
TK60S10N1L,LQ(O, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 180А; 180Вт; DPAK, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TK60S10N1L,LQ(O
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 180А; 180Вт; DPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 180А; 180Вт; DPAK Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 60A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 60нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 5.14mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 180W
    • Pulsed drain current: 180A
    • Type of transistor: N-MOSFET