КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOK60B65H2AL

AOK60B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 166Вт; TO247; Eвыкл: 1,17мДж, AOS

Арт:
AOK60B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 166Вт; TO247; Eвыкл: 1,17мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOK60B65H2AL
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 166Вт; TO247; Eвыкл: 1,17мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 166Вт; TO247; Eвыкл: 1,17мДж Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 60A
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 84нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 166W
    • Pulsed collector current: 180A
    • Turn-off switching energy: 1.17mJ
    • Turn-off time: 270ns
    • Turn-on switching energy: 2.36mJ
    • Turn-on time: 113ns
    • Type of transistor: IGBT