КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAIHD04N60RFATMA1

AIHD04N60RFATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 75Вт; DPAK, Infineon

Арт:
AIHD04N60RFATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 75Вт; DPAK, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AIHD04N60RFATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 75Вт; DPAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 75Вт; DPAK Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Collector current: 4A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 27нКл
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • Power dissipation: 75W
    • Pulsed collector current: 12A
    • Technology: TRENCHSTOP™
    • Turn-off time: 153ns
    • Turn-on time: 19ns
    • Type of transistor: IGBT