КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOTF20B65M2

AOTF20B65M2, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвыкл: 0,28мДж, AOS

Арт:
AOTF20B65M2, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвыкл: 0,28мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOTF20B65M2
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвыкл: 0,28мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвыкл: 0,28мДж Технические параметры
    • Case: TO220F
    • Collector current: 20A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 46нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 18W
    • Pulsed collector current: 60A
    • Turn-off switching energy: 0.28mJ
    • Turn-off time: 168ns
    • Turn-on switching energy: 0.58mJ
    • Turn-on time: 59ns
    • Type of transistor: IGBT