КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOT10B65M1

AOT10B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 75Вт; TO220; Eвыкл: 0,13мДж, AOS

Арт:
AOT10B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 75Вт; TO220; Eвыкл: 0,13мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOT10B65M1
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 75Вт; TO220; Eвыкл: 0,13мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 75Вт; TO220; Eвыкл: 0,13мДж Технические параметры
    • Case: TO220
    • Collector current: 10A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 24нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 75W
    • Pulsed collector current: 30A
    • Turn-off switching energy: 0.13mJ
    • Turn-off time: 137ns
    • Turn-on switching energy: 0.18mJ
    • Turn-on time: 27ns
    • Type of transistor: IGBT