КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOKS40B65H2AL

AOKS40B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 105Вт; TO247; Eвыкл: 0,54мДж, AOS

Арт:
AOKS40B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 105Вт; TO247; Eвыкл: 0,54мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOKS40B65H2AL
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 105Вт; TO247; Eвыкл: 0,54мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 105Вт; TO247; Eвыкл: 0,54мДж Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 40A
    • Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 61нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 105W
    • Pulsed collector current: 120A
    • Turn-off switching energy: 0.54mJ
    • Turn-off time: 151ns
    • Turn-on switching energy: 1.17mJ
    • Turn-on time: 64ns
    • Type of transistor: IGBT