КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOK50B65M2

AOK50B65M2, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 250Вт; TO247; Eвыкл: 1,03мДж, AOS

Арт:
AOK50B65M2, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 250Вт; TO247; Eвыкл: 1,03мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOK50B65M2
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 250Вт; TO247; Eвыкл: 1,03мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 250Вт; TO247; Eвыкл: 1,03мДж Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 50A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.72V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 102нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 250W
    • Pulsed collector current: 150A
    • Turn-off switching energy: 1.03mJ
    • Turn-off time: 268ns
    • Turn-on switching energy: 2.09mJ
    • Turn-on time: 114ns
    • Type of transistor: IGBT