КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOK50B65H1

AOK50B65H1, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 188Вт; TO247; Eвыкл: 0,85мДж, AOS

Арт:
AOK50B65H1, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 188Вт; TO247; Eвыкл: 0,85мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOK50B65H1
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 188Вт; TO247; Eвыкл: 0,85мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 188Вт; TO247; Eвыкл: 0,85мДж Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 50A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 76нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 188W
    • Pulsed collector current: 150A
    • Turn-off switching energy: 0.85mJ
    • Turn-off time: 206ns
    • Turn-on switching energy: 1.92mJ
    • Turn-on time: 111ns
    • Type of transistor: IGBT