КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOK30B65M2

AOK30B65M2, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж, AOS

Арт:
AOK30B65M2, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOK30B65M2
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 30A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.66V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 63нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 150W
    • Pulsed collector current: 90A
    • Turn-off switching energy: 0.41mJ
    • Turn-off time: 193ns
    • Turn-on switching energy: 1.02mJ
    • Turn-on time: 76ns
    • Type of transistor: IGBT