КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOK20B65M1

AOK20B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,27мДж, AOS

Арт:
AOK20B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,27мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOK20B65M1
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,27мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,27мДж Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 20A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 46нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 114W
    • Pulsed collector current: 60A
    • Turn-off switching energy: 0.27mJ
    • Turn-off time: 178ns
    • Turn-on switching energy: 0.47mJ
    • Turn-on time: 51ns
    • Type of transistor: IGBT