КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOD5B65N1

AOD5B65N1, Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж, AOS

Арт:
AOD5B65N1, Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOD5B65N1
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж Технические параметры
    • Case: TO252
    • Collector current: 5A
    • Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 9.2нКл
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: SMD
    • Power dissipation: 21W
    • Pulsed collector current: 15A
    • Turn-off switching energy: 0.049mJ
    • Turn-off time: 114ns
    • Turn-on switching energy: 0.081mJ
    • Turn-on time: 23ns
    • Type of transistor: IGBT