КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOD5B65M1

AOD5B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж, AOS

Арт:
AOD5B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOD5B65M1
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж Технические параметры
    • Case: TO252
    • Collector current: 5A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 14нКл
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: SMD
    • Power dissipation: 28W
    • Pulsed collector current: 15A
    • Turn-off switching energy: 0.07mJ
    • Turn-off time: 157ns
    • Turn-on switching energy: 0.08mJ
    • Turn-on time: 21ns
    • Type of transistor: IGBT