КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOD5B60D

AOD5B60D, Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж, AOS

Арт:
AOD5B60D, Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOD5B60D
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж Технические параметры
    • Case: TO252
    • Collector current: 5A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 9.4нКл
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: SMD
    • Power dissipation: 21.7W
    • Pulsed collector current: 20A
    • Turn-off switching energy: 0.04mJ
    • Turn-off time: 124ns
    • Turn-on switching energy: 0.14mJ
    • Turn-on time: 27ns
    • Type of transistor: IGBT