КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиNTE3323

NTE3323, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 200Вт; TO3P, NTE

Арт:
NTE3323, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 200Вт; TO3P, NTE
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTE3323
  • Производитель: NTE
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 200Вт; TO3P
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 200Вт; TO3P Технические параметры
    • Case: TO3P
    • Collector current: 25A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: NTE
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 200W
    • Pulsed collector current: 50A
    • Turn-off time: 800ns
    • Turn-on time: 400ns
    • Type of transistor: IGBT