КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиMMIX1F520N075T2

MMIX1F520N075T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD, IXYS

Арт: 302-53-512
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-53-512
  • Наименование: MMIX1F520N075T2
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD Технические параметры
    • Case: SMPD
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 500A
    • Drain-source voltage: 75V
    • Gate charge: 545нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.6mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 830W
    • Reverse recovery time: 150ns
    • Technology: TrenchT2™
    • Type of transistor: N-MOSFET