КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSISS92DN-T1-GE3

SISS92DN-T1-GE3, MOSFET N-Channel 250V PowerPAK 1212-8, Vishay

Арт: 301-43-803
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-43-803
  • Наименование: SISS92DN-T1-GE3
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: MOSFET N-Channel 250V PowerPAK 1212-8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET N-Channel 250V PowerPAK 1212-8 Технические параметры
    • Contacts: 8
    • Continuous Drain Current (Id): 12.3A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 250V
    • Fall Time: 6ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Manufacturer: Vishay
    • Mounting Type: SMD
    • ON Resistance (Rds(on)): 173mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: PowerPAK 1212-8
    • Packaging: Cut Tape
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 65.8W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 4ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 17ns
    • Turn-ON Delay Time: 10ns
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >