КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSQJ858AEP-T1 GE3

SQJ858AEP-T1 GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8, Vishay

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SQJ858AEP-T1 GE3
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8 Технические параметры
    • Manufacturer: Vishay
    • Drain current: 33A
    • #Promotion: vishay_201906
    • Gate charge: 36nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 40V
    • Mounting: SMD
    • Case: PowerPAK® SO8
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 0.0063Ω
    • Power dissipation: 48W
    BC Сomponents
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >