КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A, Vishay

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SI1012R-T1-GE3
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A Технические параметры
    • #Promotion: vishay_201906
    • Case: SC75A
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 0.35A
    • Drain-source voltage: 20V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate charge: 0.75нКл
    • Gate-source voltage: ±6V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Vishay
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 0.7Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.08W
    • Type of transistor: N-MOSFET
    BC Сomponents
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >