КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIGT60R070D1ATMA1

IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А, Infineon

Арт:
IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IGT60R070D1ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А Технические параметры
    • Case: PG-HSOF-8-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 31A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 5.8нКл
    • Gate current: 20mA
    • Gate-source voltage: -10V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 70Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 125W
    • Pulsed drain current: 60A
    • Technology: CoolGaN™
    • Type of transistor: N-JFET