КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTK160F10N1L,LQ(O

TK160F10N1L,LQ(O, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 375Вт; TO220SM, Toshiba

Арт:
TK160F10N1L,LQ(O, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 375Вт; TO220SM, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TK160F10N1L,LQ(O
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 375Вт; TO220SM
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 375Вт; TO220SM Технические параметры
    • Case: TO220SM
    • Drain current: 160A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 121нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 2.4mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 375W
    • Type of transistor: N-MOSFET