КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT85GR120B2

APT85GR120B2, Транзистор: IGBT; 1200В; 85А; 962Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT85GR120B2, Транзистор: IGBT; 1200В; 85А; 962Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT85GR120B2
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 1200В; 85А; 962Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 1200В; 85А; 962Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Power: 962W
    • Technology: Ultra Fast NPT-IGBT®
    • Collector current: 85A
    • Collector-emitter voltage: 1200V
    • Gate charge: 490nC
    • Turn-on time: 113ns
    • Turn-off time: 445ns
    • Kind of package: tube
    • Transistor type: IGBT
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Pulsed collector current: 340A
    • Mounting: THT
    • Case: TO247-3