КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G, Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT50GN60BDQ2G, Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT50GN60BDQ2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Power: 366W
    • Collector current: 64A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Gate charge: 325nC
    • Turn-on time: 45ns
    • Turn-off time: 400ns
    • Kind of package: tube
    • Transistor type: IGBT
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Pulsed collector current: 150A
    • Mounting: THT
    • Case: TO247-3