КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощности2SK3475(TE12L,F)

2SK3475(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; SMT; 14,9дБ, Toshiba

Арт:
2SK3475(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; SMT; 14,9дБ, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: 2SK3475(TE12L,F)
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; SMT; 14,9дБ
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; SMT; 14,9дБ Технические параметры
    • Case: SOT89
    • Drain current: 1A
    • Drain-source voltage: 20V
    • Efficiency: 45%
    • Electrical mounting: SMT
    • Frequency: 520MHz
    • Gain: 14.9dB
    • Gate-source voltage: ±10V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Toshiba
    • Output power: 630mW
    • Polarisation: unipolar
    • Transistor kind: RF
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 3W