КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT50GN60BG

APT50GN60BG, Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT50GN60BG, Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT50GN60BG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Collector current: 64A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Gate - emitter voltage: ±30В
    • Gate charge: 325нC
    • Housing: TO247-3
    • Kind of package: туба
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Package: TO247-3
    • Power dissipation: 366W
    • Pulsed collector current: 150A
    • Transistor type: IGBT
    • Turn-off time: 400ns
    • Turn-on time: 45ns
    • Type of transistor: IGBT
    • Мощность: 366W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 600V