Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 26А; 300Вт; D3PAK Технические параметры
- Case: D3PAK
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 26A
- Drain-source voltage: 500V
- Gate charge: 225нC
- Gate-source voltage: ±30В
- Housing: D3PAK
- Kind of package: туба
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 200mΩ
- Package: D3PAK
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Power dissipation: 300W
- Technology: POWER MOS V®
- Transistor type: N-MOSFET
- Type of transistor: N-MOSFET
- Мощность: 300W
- Сопротивление в открытом состоянии: 200mΩ
- Ток стока: 26A