КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT25GN120SG

APT25GN120SG, Транзистор: IGBT; 1200В; 33А; 272Вт; D3PAK, MICROSEMI

Арт:
APT25GN120SG, Транзистор: IGBT; 1200В; 33А; 272Вт; D3PAK, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT25GN120SG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 1200В; 33А; 272Вт; D3PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 1200В; 33А; 272Вт; D3PAK Технические параметры
    • Collector current: 33A
    • Collector-emitter voltage: 1200V
    • Gate - emitter voltage: ±30В
    • Gate charge: 155нКл
    • Housing: D3PAK
    • Kind of package: туба
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • Package: D3PAK
    • Pulsed collector current: 75A
    • Transistor type: IGBT
    • Turn-off time: 560ns
    • Turn-on time: 39ns
    • Мощность: 272W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 1200V