КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOI4N60

AOI4N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; 104Вт; TO251A, AOS

Арт:
AOI4N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; 104Вт; TO251A, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOI4N60
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; 104Вт; TO251A
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; 104Вт; TO251A Технические параметры
    • Drain current: 2.6A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 12нКл
    • Gate-source voltage: ±30В
    • Housing: TO251A
    • Manufacturer: AOS
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 2.3Ω
    • Package: TO251A
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 104W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 2.3Ω
    • Ток стока: 2.6A