Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; 30Вт; TO251A Технические параметры
- Drain current: 10A
- Drain-source voltage: 100V
- Gate charge: 2.8нКл
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: TO251A
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 68mΩ
- Package: TO251A
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 30W
- Сопротивление в открытом состоянии: 68mΩ
- Ток стока: 10A