Модуль; диод/транзистор; 600В; 72А; SP4; Ugs: ±30В; винтами; 416Вт Технические параметры
- Case: SP4
- Drain current: 72A
- Drain-source voltage: 600V
- Electrical mounting: винтами
- Gate-source voltage: ±30В
- Housing: SP4
- Manufacturer: MICROSEMI
- Max. forward impulse current: 288A
- Mechanical mounting: screw
- Modular: транзисторный
- Module type: transistor
- Mount: винтами
- Mounting: screw
- On-State Resistance: 35mΩ
- Operating temperature: -55...150°C
- Package: SP4
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Power dissipation: 416W
- Pulsed drain current: 288A
- Semiconductor structure: диод/транзистор
- Technology: CoolMOS™
- Мощность: 416W
- Сопротивление в открытом состоянии: 35mΩ
- Ток стока: 72A
