Модуль; одиночный транзистор; Uds:600В; Id:77А; ISOTOP; 568Вт Технические параметры
- Case: ISOTOP
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 77A
- Drain-source voltage: 600V
- Electrical mounting: винтами
- Gate-source voltage: ±30В
- Housing: ISOTOP
- Manufacturer: MICROSEMI
- Max. forward impulse current: 231A
- Mechanical mounting: screw
- Modular: транзисторный
- Module type: transistor
- Mount: винтами
- Mounting: screw
- On-State Resistance: 35mΩ
- Operating temperature: -55...150°C
- Package: ISOTOP
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Power dissipation: 568W
- Pulsed drain current: 231A
- Semiconductor structure: одиночный транзистор
- Topology: полумост MOSFET
- Мощность: 568W
- Сопротивление в открытом состоянии: 35mΩ
- Ток стока: 77A
