Модуль; одиночный транзистор; Uds:200В; Id:175А; ISOTOP; 700Вт Технические параметры
- Drain current: 175A
- Drain-source voltage: 200V
- Electrical mounting: винтами
- Gate-source voltage: ±30В
- Housing: ISOTOP
- Manufacturer: MICROSEMI
- Max. forward impulse current: 700A
- Modular: транзисторный
- Module type: transistor
- Mount: винтами
- Mounting: screw
- On-State Resistance: 11mΩ
- Operating temperature: -55...150°C
- Package: ISOTOP
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Semiconductor structure: одиночный транзистор
- Technology: POWER MOS V®
- Мощность: 700W
- Сопротивление в открытом состоянии: 11mΩ
- Ток стока: 175A