Модуль: транзисторный; Id:50А; винтами; SOT227B; Urmax:600В; 36мОм Технические параметры
- Case: SOT227B
- Drain current: 50A
- Drain-source voltage: 600V
- Electrical mounting: винтами
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SOT227B
- Manufacturer: IXYS
- Max. forward impulse current: 250A
- Modular: транзисторный
- Module type: transistor
- Mount: винтами
- Mounting: screw
- On-State Resistance: 36mΩ
- Operating temperature: -40...150°C
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Semiconductor structure: одиночный транзистор
- Series: HiPerFET™
- Мощность: 560W
- Сопротивление в открытом состоянии: 36mΩ
- Ток стока: 50A
