Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 120А; 600Вт; TO268 Технические параметры
- Case: TO268
- Drain current: 120A
- Drain-source voltage: 150V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: TO268
- Manufacturer: IXYS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 15mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 600W
- Сопротивление в открытом состоянии: 15mΩ
- Ток стока: 120A