КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC, Модуль: транзисторный; 47А; винтами; SOT227B; Urmax:1,2кВ; винтами, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXFN50N120SIC
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль: транзисторный; 47А; винтами; SOT227B; Urmax:1,2кВ; винтами
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: транзисторный; 47А; винтами; SOT227B; Urmax:1,2кВ; винтами Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Drain current: 47A
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Electrical mounting: винтами
    • Gate-source voltage: 20V
    • Housing: SOT227B
    • Manufacturer: IXYS
    • Modular: транзисторный
    • Module type: transistor
    • Mount: винтами
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...150°C
    • Polarity: полевой
    • Semiconductor structure: одиночный транзистор
    • Technology: HiPerFET™
    • Сопротивление в открытом состоянии: 50mΩ
    • Ток стока: 35A